二极管齐纳与雪崩是什么样子的呢
齐纳击穿：
对于高掺杂的PN结，由于结很薄，电压升高容易产生很强的电场，将结内共价键中的价电子拉出来，使反向电流剧增，这种现象叫齐纳击穿。一般发生在低反压、高掺杂的情况下。
雪崩击穿：
对于掺杂浓度较低的PN结，结较厚，当外加反向电压高到一定数值时，因外电场过强，使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞，将原子电离，产生新的电子空穴对，而新产生的载流子又继续碰撞其他原子，产生链式反应，使少数载流子数目急剧增多，反向电流雪崩式地迅速增大，这种现象叫雪崩击穿。通常发生在高反压、低掺杂的情况下。
一般来说，低电压的稳压管（3-6V）主要是齐纳击穿，高电压稳压管（10V以上）主要是雪崩击穿，而稳压电压介于两个电压范围之间的稳压管两种击穿同时存在。
雪崩光电二极管APD的工作原理是什么？
apd雪崩光电二极管的相应速度快，光电增益高，说明apd雪崩光电二极管在收到光辐射的时候产生的光电子在apd雪崩光电二极管内部的渡越时间短，受激产生的光电子多，光电流大，这些特性的产生需要器件内部的载流子浓度大，而在工艺中就表现为重参杂。
重点可以看看《半导体物理》《半导体器件物理》其中对载流子在半导体器件中的渡越时间的描述
这个其实不是很复杂的
可以到硬之城上面看看有没有这个型号
有的话就能在上面找到它的技术资料
什么叫渡越时间？
对于双极型晶体管，少数载流子渡越中性基区的时间τB即称为基区渡越时间。其与基区宽度W直In=Aqnp(x)v(x)，dx=v(x)dt，则得到τB=∫o[1/v(x)]dx=∫o[Aqnp(x)/In]dx≈QB/IC。对均匀基区晶体管τB = W/ ( 2 Dn )；对缓变基区晶体管τB = W / (ηDn)，η> 2。扩展资料根据注入载流子机理的不同，可以有几种不同工作模式的TTD，即碰撞电离雪崩注入渡越时间二极管（IMPATTD）、势垒注入渡越时间二极管（BARITTD）、隧穿注入渡越时间二极管（TUNNETTD）、双速度渡越时间二极管(DOVETTD)和俘获等离子体雪崩触发渡越时间器件(TRAPATTD)等几种器件。其中渡越时间器可以利用载流子在渡越漂移区的过程中所造成的输出电流与电压之间的相位差、再加上载流子注入的相位差来实现微波振荡参考资料来源：百度百科——基区渡越时间
微波二极管的分类
19世纪末发现了点接触二极管效应后，相继出现了PIN二极管、变容二极管、肖特基二极管、隧道二极管、耿氏二极管等微波二极管。微波二极管的基片材料由锗、硅发展到砷化镓，使微波二极管工作频率不断提高，目前最高频率已达300吉赫。微波二极管具有体积小和可靠性高等优点，用于微波振荡、放大、变频、开关、移相和调制等方面。 一种窄I层结构的PIN二极管，当工作状态从正向转到反向时，其反向恢复时间很短（可以达几十皮秒量级）,且具有极其丰富的谐波,再加上反向非线性电容效应，可以用于倍频、谐波发生、取样、脉冲发生等。其主要用途是高频稳定倍频器，结合石英晶体振荡器可使微波源的频率稳定度达到10-6～10-9量级,广泛用于数字通信、雷达和卫星通信等设备中。 基于PN结反向雪崩倍增和渡越产生射频负阻原理制成的一种微波功率器件。1958年由美国W.T.里德提出，所以又称里德二极管。这类二极管有各种结构：里德结构(即P+NIN+)、肖特基结构(M-N-N+)高-低-高结构(H-L-H)、双漂移结构（DDR或P+PNN+）等。所用材料主要有硅和砷化镓。除了PN结雪崩渡越二极管外，由于其工作机理的差别，还有俘获等离子体雪崩触发渡越时间二极管，金属-半导体-金属势垒渡越二极管，隧道雪崩渡越二极管等。雪崩渡越二极管及其功率源可达到极高的工作频率，从几百兆赫至 300吉赫都可以获得一定的微波功率。特别在毫米波波段，它是现代功率最大的固体器件，可连续波工作或脉冲工作。其缺点是噪声比电子转移器件稍高。用雪崩渡越二极管制成的雪崩振荡器和锁定放大器用于微波通信、雷达、战术导弹。
什么是雪崩光电二极管APD
APD雪崩光电二极管的相应速度快，光电增益高，说明APD雪崩光电二极管在收到光辐射的时候产生的光电子在APD雪崩光电二极管内部的渡越时间短，受激产生的光电子多，光电流大，这些特性的产生需要器件内部的载流子浓度大，而在工艺中就表现为重参杂。
重点可以看看《半导体物理》《半导体器件物理》其中对载流子在半导体器件中的渡越时间的描述
这个其实不是很复杂的 可以到硬之城上面看看有没有这个型号 有的话就能在上面找到它的技术资料