场效应管的性能与双极性三极管比较具有哪些特点
1.场效应管是利用多数载流子导电的，而普通三极管参与导电的，双极型三极管既有多数载流子，又有少数载流子导电，而少数载流子的浓度易受温度的影响，因此，在温度稳定性、低噪声等方面前者优于后者。
2．双极型三极管是电流控制器件，通过控制基极电流到达控制输出电流的目的。因此，基极总有一定的电流，故三极管的输人电阻较低；场效应管是电压控制器件，其输出电流决定于栅源极之间的电压，栅极基本上不取电流，因此，它的输入电阻很高，可达10^9～10^14Ω。高输入电阻是场效应管的突出优点。
3．场效应管的漏极和源极可以互换，耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正可负，灵活性比双极型三极管强。
4 场效应管和三极管都可以用于放大或作可控开关。但场效应管还可以作为压控电阻使用，可以在微电流、低电压条件下工作。且便于集成。在大规模和超大规模集成电路中应用极为广泛。
试比较双极型三极管和场效应管的特点。
【答案】：(1)场效应管是电压控制器件，而双极型晶体管是电流控制器件。(2)场效应管的直流输入电阻和交流输入电阻都非常高。而双极性三极管的输入电阻较小。(3)场效应管具有较好的温度稳定性、抗辐射性和低噪声性能。在双极型晶体管中，少数载流子数量受温度和辐射的影响较大，造成管子工作的不稳定。(4)场效应管的源极和漏极结构对称，使用时两极可以互换。在双极型晶体管中，由于发射区和集电区不但掺杂浓度相差悬殊，而且发射结的结面积也远小于集电结，若将发射极和集电极互换使用，其特性将相差甚远。(5)场效应管制造工艺简单，且占用芯片的面积小。例如，MOS管所占芯片面积仅为双极型晶体管的15%。因此，场效应管适合于大规模集成。(6)MOS管的栅极是绝缘的，由外界静电感应所产生的电荷不易泄放，且SiO2层很薄，较小的感应电压将造成较高的电场强度，致使绝缘层击穿而损坏管子。因此在存放MOS管时，应将各电极短接在一起。焊接时电烙铁应有良好的接地线，或断电焊接，并注意对交流电场的屏蔽。(7)场效应管的跨导较小，当组成放大电路时，在相同的负载电阻下，电压放大倍效比双极型三极管低。
场效应管8n60c用12n60Pc代换?
场效应管8n60c用12n60Pc代换?不能，因为8n60参数是电流8A，电压600v，而12n60参数是电流12A电压600，前者电流太小，使用容量发热击穿，所以不能替换。不能，因为8n60参数是电流8A，电压600v，而12n60参数是电流12A电压600，前者电流太小，使用容量发热击穿，所以不能替换。【摘要】
场效应管8n60c用12n60Pc代换?【提问】
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场效应管cs8n60用什么型号管子代换
您好：
1. 场效应管CS8N60可以用10N60型号的管子进行代换。
2. 场效应管CS8N60的参数如下：8N60，7.5A，600V，RDS=1.2欧。而10N60的参数为：10A，600V，RDS=0.73欧。
3. 场效应晶体管简称场效应管，主要有两种类型：结型场效应管和金属-氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7～10^15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。【摘要】
场效应管cs8n60用什么型号管子代换【提问】
您好：. 场效应管CS8N60可以用10N60型号的管子进行代换。. 场效应管CS8N60的参数如下：8N60，7.5A，600V，RDS=1.2欧。而10N60的参数为：10A，600V，RDS=0.73欧。. 场效应晶体管，简称场效应管，主要有两种类型：绝缘栅型场效应管和金属-氧化物半导体场效应管。场效应管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。场效应管具有输入电阻高（10^7～10^15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。希望对你有帮助！【回答】
10n60三极管的参数及管角排例
10N60参数为：场效应管电压电流： 10A,600V制造商零件编号: 10n60种类: mosfet沟道类型: n最大耗散功率 (pd): 156漏源电压 (uds): 600栅源电压 (ugs): 30最大漏极电流 (id): 10最大工作温度 (tj), °c: 150导通上升时间 (tr): 69输出电容 (cd), pf: 166静态的漏源极导通电阻 (rds), ohm: 0.72封装形式: to-220_to-220f_to-220f1_to-220f2_to-262_to-263。管子印有字体一面对着人脸，从左到右依次是一脚为G(栅极) ，二脚为D （漏极)，三脚为S（源极）。扩展资料：可以用指针式万用表测电阻法对场效应管进行测量。场效应管的测量方法：主板中常用的MOS管G D S3个引脚是固定的，不管是N沟道还是P沟道都一样，把芯片放正，从左到右分别为G极D极S极。用二极管档对MOS管的测量，首先要短接三只引脚对管子进行放电。然后用红表笔接S极，黑表笔接D极，如果测得有500多的数值，说明此管为N沟道。黑笔不动..用红笔去接触G极测得数值为1。红笔移回到S极.此时管子应该为导通。然后红笔测D极，而黑笔测S极.应该测得数值为1。(这1步时要注意.因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压，所以DS之间还是导通的，不过大概10几秒后才恢复正常，建议进行这1步时再次短接三脚给管子放电先)。参考资料：百度百科-FQPF10N60C